Het Japanse Sharp Corporation heeft in hun presentatie “New Wafer Technology for Crystalline Silicon Solar Cell” op de Europese conventie voor zonne-energie een technologie aangekondigd, waarmee naar eigen zeggen de productiekosten van silicium-wafels met 50% teruggebracht worden. Dit wordt gerapporteerd door het Japanse business-nieuwsgentschap Nikkei. Sharp heeft een productielijn opgezet met lopende banden en dergelijken en zegt dat “de technologie klaar is voor massaproductie”.
In de nieuwe productiemethode wordt een substraat in contact gebracht met gesmolten silicium, waardoor dit hecht aan het substraat. De aangehechte silica-laag wordt vervolgens van het substraat afgepeld om een vel silicium te verkrijgen. Vervolgens wordt een laser gebruikt om dit vel op formaat te snijden, waarna het afval opnieuw gesmolten wordt voor hergebruik. Het bedrijf gaf om duidelijke redenen geen details over het proces waarmee de silicium van het substraat afgepeld wordt, maar liet wel een video zien van de productielijn.
De techniek staat het toe een 300μm-dikke silicium-wafel te produceren in slechts 8 seconden. Het huidige (en dus significant duurdere) giet-proces resulteert meestal in wafels met een dikte van zo’n 200μm. Voor zonnecellen geldt meestal hoe dunner hoe beter, omdat een dun materiaal beter geleidt. Er wordt met Sharp’s nieuwe technologie dus wel iets ingeleverd op het gebied efficiëntie van de zonnecel. Experimentele cellen die tijdens de ontwikkeling van deze techniek gemaakt zijn, hadden in 2006 een rendement van 14,8%. Een module van 42 cellen heeft op deze manier een maximum productie van zo’n 144W. Dit is iets lager dan gemiddeld, maar de behoorlijk lagere kosten compenseren dit ruimschoots.
Of de technologie direct een revolutie teweeg brengt in de prijs van zonnecellen, valt nog te bezien. Sharp zal naar verwachting bij gebrek aan goede concurrentie de prijs waarschijnlijk net iets onder de competitie houden, om zo maximale winst te behalen uit de nieuwe productiemethode.
